Получен новый материал на основе графена
09.03.2010 06:52

Исследователи из Университета Райса разработали метод, позволяющий скроить из графена и гексагонального нитрида бора (h-BN) двумерную систему – новый материал, который может найти применение в электронных приборах будущего.

Для одноатомного слоя h-BN, характерна та же самая структура двумерной кристаллической решетки, что и для графена, однако электрические свойства этих материалов находятся на разных полюсах – h-BN является изолятором, в то время как графен характеризуется значительной электропроводностью. Возможность комбинировать нитрид бора и графен в одной двумерной кристаллической решетке может привести к созданию двумерных структур со всем спектром электрических свойств – проводник – полупроводник – непроводящий материал.

Так как графен проводник, а нитрид бора – изолятор, электропроводность гибридного материала будет определяться соотношением компонентов. Лиджи Си (Lijie Ci) и Ли Сонг (Li Song) обнаружили, что чередование доменов h-BN и углерода, реализуемое с помощью химического осаждения паров [chemical vapor deposition (CVD)] позволяет контролировать соотношение двух материалов в образующейся пленке.

Новый материал дает физикам и химикам возможность изучения методов настройки величины запрещенной энергетической щели в двумерных системах, полная фазовая энергетическая диаграмма двумерного материала, состоящего из азота, бора и углерода предоставляет большие возможности специалистам по наноматериалам. Исследователи считают, что гибридный материал с любым соотношением компонентов может найти применение в физических или электрооптических устройствах.

Источник