Создан графеновый полевой транзистор n-типа
13.05.2009 05:09

Исследовательская группа из Университета Флориды, Стэнфордского университета и Ливерморской национальной лаборатории им. Лоуренса разработала технологию легирования графена, которая позволяет создавать на его основе полупроводниковые материалы с электронным типом проводимости.

Задача образования графеновых полупроводников p-типа была решена довольно давно, и ученым из исследовательской группы пришлось искать абсолютно новые способы модифицирования графена. Его практическое применение определяется тем, насколько доступным и легким будет процесс получения полупроводникового материала n-типа.

Группа использовала  графеновые наноленты (узкие полоски, ширина которых не превышает 100 нм). Для придания материалу необходимых свойств он нагревался в присутствии паров аммиака. Это нагревание приводило к образованию связей между атомами азота и углерода, расположенными по краям ленты. Как сообщают ученые, после такой обработки края нанолент стали более ровными, что должно положительно сказаться на характеристиках будущих полупроводниковых устройств.

Учены создали на основе получившегося материала первый в мире графеновый полевой транзистор n-типа, работающий при комнатной температуре. Но по мнению доктора Гуо, скорое производство таких транзисторов не ожидается, потому как стоимость такого транзистора высока.

Источник: nanonewsnet.ru