Устройство памяти, повышающее эффективность и быстродействие полупроводниковых систем
07.04.2009 07:14
Ученые под руководством профессоров С.Бедера (S.M. Bedair) и Надя Эль Масри (Nadia El-Masry) из Университета штата Северная Каролина (North Carolina State University) разработали устройство памяти на магнитных полупроводниках, которое работает при комнатной температуре, используя и заряд электрона и его спин. 
Разработка такого устройства на тонких пленках GaMnN является значительным прогрессом в области прикладной физики по сравнению с известными системами, которые используют функционирующие только при температурах 100К (-173 градуса по Цельсию) магнитные полупроводники типа GaMnAs. Контролируя спин электронов, новое устройство способно существенно повысить и эффективность и быстродействие полупроводниковых систем.

Данная разработка - усовершенствованная модель, созданной ранее в этом Университете, и потребляет только 5–6 вольт для переключения смещения электронов. Предыдущие низкотемпературные модели использовали гораздо более высокое напряжение питания.

 
Источник: nanonewsnet.ru