Устройство памяти, повышающее эффективность и быстродействие полупроводниковых систем

07.04.2009 07:14
Разработка такого устройства на тонких пленках GaMnN является значительным прогрессом в области прикладной физики по сравнению с известными системами, которые используют функционирующие только при температурах 100К (-173 градуса по Цельсию) магнитные полупроводники типа GaMnAs. Контролируя спин электронов, новое устройство способно существенно повысить и эффективность и быстродействие полупроводниковых систем.

Данная разработка - усовершенствованная модель, созданной ранее в этом Университете, и потребляет только 5–6 вольт для переключения смещения электронов. Предыдущие низкотемпературные модели использовали гораздо более высокое напряжение питания.

 
Источник: nanonewsnet.ru