Новые фотоэлектрические материалы на основе оксида цинка
Достижения в области нанотехнологий - химия наносистем

Ученые из Северо-Западного Университета (Northwestern University, Эванстон, США) применили свойства оксида цинка (фотоэлектрические свойства) для создания нового класса фотоэлектрических материалов. Структура такого материала состоит из слоев: слой оксида цинка (ZnO) толщиной 1 нм чередуется со слоем органических веществ толщиной 2-3 нм.  Дизайн таких структур с использованием разных органических веществ определяет светочувствительные характеристики материалов и позволяет регулировать длину волны поглощаемого света.

Структуру такого материала можно сравнить с книгой, страницы которой очень плотно прилегают друг к другу. Каждая «органическая» страница такой книги улавливает определенную световую волну и благодаря своей близости к странице из оксида цинка непосредственно передает на нее электроны, генерируя таким образом электрический ток. Этот процесс происходит благодаря комплементарной архитектуре гибридного материала, сочетающего p-тип проводимости в органическом и n-тип – в неорганическом слоях. Важным условием эффективной работы солнечных элементов на основе таких материалов является высокая степень упорядоченности не только слоев в «книгах», но также и «книг» между собой. Сейчас ученые оптимизируют структуру макроскопических «библиотек».
 
Источник: nanonewsnet.ru